Какова интегральная чувствительность фоторезистора, если его удельная чувствительность составляет 300 мкА/мВ

Ryzhik

25

Чтобы решить эту задачу, нам нужно знать формулу для интегральной чувствительности фоторезистора и данные, которые мы можем использовать для расчетов.

Интегральная чувствительность фоторезистора (S) определяется как изменение его сопротивления по отношению к изменению внешних условий, таких как освещенность или напряжение на нем. Она измеряется в А/Ватт (А/В) или микроамперах на милливольт (мкА/мВ).

Удельная чувствительность фоторезистора (K) представляет собой константу, которая определяет, как сильно изменяется сопротивление фоторезистора при изменении внешних условий. Она измеряется в А/В (А/В) или микроамперах на милливольт (мкА/мВ).

Теперь, чтобы найти интегральную чувствительность фоторезистора (S), учитывая его удельную чувствительность (K), мы можем использовать следующую формулу:

S = K * U,

где S - интегральная чувствительность фоторезистора,
K - удельная чувствительность фоторезистора,
U - внешнее воздействие, такое как напряжение.

В данной задаче нам известно, что удельная чувствительность фоторезистора составляет 300 мкА/мВ. Поэтому мы можем подставить это значение в формулу:

S = 300 мкА/мВ * U.

Это означает, что интегральная чувствительность фоторезистора (S) будет равна 300 мкА/мВ умноженное на внешнее воздействие (U).

Однако, в задаче не указано какое конкретно внешнее воздействие (напряжение) на фоторезистор. Поэтому, чтобы найти значение интегральной чувствительности фоторезистора (S), нам нужна дополнительная информация о конкретном напряжении (U).

Дайте мне значение напряжения, и я смогу вычислить интегральную чувствительность фоторезистора (S) для вас.