В случае ряда C–Si–Ge: 1) Снижается кислотность высших оксидов 2) Сокращается размер атома 3) Растёт степень окисления

  • 62
В случае ряда C–Si–Ge: 1) Снижается кислотность высших оксидов 2) Сокращается размер атома 3) Растёт степень окисления элемента в высших оксидах 4) Количество энергетических уровней в атоме элемента остаётся постоянным 5) Понижается электроотрицательность элементов
Ярд
7
Для того чтобы ответить на данный вопрос и обосновать каждый пункт, давайте рассмотрим свойства элементов из ряда C–Si–Ge.

1) Снижается кислотность высших оксидов:
Высшие оксиды элементов ряда C–Si–Ge образуются путем сочетания этих элементов с кислородом. Кислотность оксида обычно зависит от степени окисления элемента. В данном ряду степень окисления элементов возрастает по мере движения от углерода (C) к германию (Ge). Таким образом, с увеличением степени окисления кислотность высших оксидов в ряду C–Si–Ge будет снижаться.

2) Сокращается размер атома:
Размер атома обычно уменьшается с увеличением атомного номера в периоде таблицы Mendeleev. В ряду C–Si–Ge мы двигаемся от углерода (C) к кремнию (Si) и далее к германию (Ge). Углерод имеет больший атомный радиус, по сравнению с кремнием и германием. Таким образом, в данном ряду размер атома будет сокращаться.

3) Растет степень окисления элемента в высших оксидах:
Степень окисления элемента в оксидах соответствует количеству электронов, которые элемент потерял или получил при образовании соединения с кислородом. В ряду C–Si–Ge мы наблюдаем рост атомного номера и, следовательно, рост степени окисления элемента в высших оксидах. Таким образом, степень окисления элемента будет возрастать в данном ряду.

4) Количество энергетических уровней в атоме элемента остается постоянным:
Количество энергетических уровней в атоме элемента определяется его электронной конфигурацией и атомным номером. В ряду C–Si–Ge у нас есть последовательное увеличение атомного номера от углерода (C) до германия (Ge). При этом, количество энергетических уровней в атоме элемента остается примерно постоянным, так как электронные оболочки заполняются в соответствии с правилами электронной конфигурации.

5) Понижается электроотрицательность элементов:
Электроотрицательность элемента измеряет его способность привлекать электроны к себе в химической связи. В ряду C–Si–Ge электроотрицательность элементов будет понижаться по мере движения от углерода (C) к германию (Ge). Углерод имеет более высокую электроотрицательность по сравнению с кремнием и германием. Таким образом, в данном ряду электроотрицательность элементов будет понижаться.

Надеюсь, эти детальные объяснения помогут вам понять свойства элементов ряда C–Si–Ge и соответствующие пункты задачи. Если у вас возникнут дополнительные вопросы, я всегда готов помочь!