1) Какое утверждение справедливо для полупроводника p-типа при Т> 0? А. Число дырок много больше числа электронов

Timofey

2

1) В полупроводнике p-типа при Т>0 справедливо утверждение А. Число дырок много больше числа электронов. При этом, в полупроводнике p-типа количество дырок (положительно заряженных носителей заряда) преобладает над количеством электронов. Это происходит из-за примесей, которые вводят в материал полупроводника избыток дырок. Дырка - это место, где валентная электронная оболочка не заполнена электроном и создает положительный заряд.

2) Толщина p-n-перехода меняется по варианту B. Увеличивается с ростом обратного напряжения и уменьшается с ростом прямого напряжения. При прямом напряжении p-n-переход работает в прямом смещении, что значит, что внешнее напряжение уменьшает регион обеднения (дефицита носителей заряда) и, следовательно, толщину p-n-перехода. При обратном напряжении p-n-переход находится в обратном смещении, что значит, что внешнее напряжение расширяет регион обеднения и увеличивает толщину p-n-перехода. Таким образом, толщина p-n-перехода зависит от напряжения, которое подается на него.