1. Найдите электронную формулу внешнего энергетического уровня иона si4-: а) 3s23p2 б) 3s23p6 в) 3s23p4 г) 4s24p6
1. Найдите электронную формулу внешнего энергетического уровня иона si4-: а) 3s23p2 б) 3s23p6 в) 3s23p4 г) 4s24p6
2. Как меняется восстановительная способность в ряду элементов O-N-C-Si? а) уменьшается в) не изменяется б) увеличивается г) изменяется периодически
3. Какой элемент образует кислоты состава H3EO4 и H3EO4? а) углерод б) азот в) сера г) фосфор
4. У какого вещества есть молекулярная кристаллическая решетка? а) графит б) кремний в) бор г) иод
5. Какие утверждения о галогенах являются верными? а. электронная конфигурация внешнего энергетического уровня атомов галогенов ns2np5 б. с щелочными металлами галогены образуют соединения
2. Как меняется восстановительная способность в ряду элементов O-N-C-Si? а) уменьшается в) не изменяется б) увеличивается г) изменяется периодически
3. Какой элемент образует кислоты состава H3EO4 и H3EO4? а) углерод б) азот в) сера г) фосфор
4. У какого вещества есть молекулярная кристаллическая решетка? а) графит б) кремний в) бор г) иод
5. Какие утверждения о галогенах являются верными? а. электронная конфигурация внешнего энергетического уровня атомов галогенов ns2np5 б. с щелочными металлами галогены образуют соединения
Якша_5551 66
Конечно, давайте начнем с поиска электронной формулы внешнего энергетического уровня иона Si\(_4^-\):1. а) 3s²3p²
Давайте разберемся, как мы можем определить внешний энергетический уровень для иона Si\(_4^-\). Сначала нам нужно помнить, что заряд иона у нас -4, что означает, что у иона на 4 электрона больше, чем у нейтрального атома кремния (Si). Таким образом, электронная конфигурация нейтрального атома кремния (Si) равна 1s²2s²2p⁶3s²3p². Поскольку у нас iон с отрицательным зарядом, это означает, что ионы приобрели дополнительные 4 электрона, в результате чего образуется заполнение энергетических уровней. Поэтому правильным ответом будет:
а) 3s²3p²
2. Про изменение восстановительной способности в ряду элементов O-N-C-Si:
Восстановительная способность увеличивается при движении слева направо по периоду и уменьшается при движении сверху вниз по группе.
Поэтому, для ряда O-N-C-Si:
а) увеличивается
3. Какой элемент образует кислоты состава H₃EO₄ и H₃EO₄:
Для образования кислоты H₃EO₄ требуется элемент с номером валентности IV (4). Фосфор (P) имеет номер валентности IV, поэтому правильный ответ:
г) фосфор
4. У какого вещества есть молекулярная кристаллическая решетка:
Молекулярная кристаллическая решетка присутствует у веществ с молекулярными связями. Графит (а) имеет молекулярную кристаллическую решетку.
а) графит
5. Утверждения о галогенах:
Галогены имеют электронную конфигурацию внешнего энергетического уровня ns²np⁵. Таким образом, верные утверждения:
а. электронная конфигурация внешнего энергетического уровня атомов галогенов ns²np⁵