Помогите! 1. Какие зарядные носители присутствуют в полупроводниках типа p: А) фотоны; Б) электроны; В) дырки. 2. Какие

  • 13
Помогите! 1. Какие зарядные носители присутствуют в полупроводниках типа p: А) фотоны; Б) электроны; В) дырки. 2. Какие зарядные носители присутствуют в полупроводниках типа n: А) дырки; Б) нейтроны; В) электроны. 3. Донорная примесь характеризуется наличием атома с: А) большей валентностью; Б) меньшей валентностью; В) такой же валентностью. 4. Акцепторная примесь характеризуется наличием атома с: А) меньшей валентностью; Б) такой же валентностью; В) большей валентностью. 5. На пересечении двух полупроводников разных типов образуется: А) непроводящий слой; Б) запирающий слой.
Medvezhonok_6367
40
1. В полупроводниках типа p присутствуют зарядные носители, называемые дырками. Дырка представляет собой отсутствие электрона в валентной зоне и является положительно заряженной частицей.

Обоснование: Полупроводники типа p образуются путем введения примесей с три- или пятивалентными элементами, такими как галлий (Ga) или индий (In), в кристаллическую решетку полупроводника, который иначе был бы типа интрузивного (n-типа). При добавлении атомов с три валентными электронами, таких как бор (B) или борный запрет, образуются электронные дырки, которые действуют как зарядные носители в полупроводнике типа p.

2. В полупроводниках типа n присутствуют зарядные носители, называемые электронами. Электрон представляет собой отрицательно заряженную частицу.

Обоснование: Полупроводники типа n образуются путем введения примесей с пятивалентными элементами, такими как фосфор (P) или арсений (As), в кристаллическую решетку полупроводника, который иначе был бы типа донорного (p-типа). При добавлении атомов с пятью валентными электронами, образуются свободные электроны, которые действуют как зарядные носители в полупроводнике типа n.

3. Донорная примесь характеризуется наличием атома с большей валентностью.

Обоснование: Донорная примесь представляет собой атом или молекулу, которая внедряется в кристаллическую решетку полупроводника и обладает лишним электроном. Атомы с большей валентностью имеют больше электронов в валентной зоне, чем основные атомы полупроводника. Поэтому донорная примесь имеет большую валентность по сравнению с основным полупроводником.

4. Акцепторная примесь характеризуется наличием атома с меньшей валентностью.

Обоснование: Акцепторная примесь представляет собой атом или молекулу, которая внедряется в кристаллическую решетку полупроводника и может захватить электрон от соседнего атома, создавая в системе дырку. Атомы с меньшей валентностью имеют меньше электронов в валентной зоне, чем основные атомы полупроводника. Поэтому акцепторная примесь имеет меньшую валентность по сравнению с основным полупроводником.

5. На пересечении двух полупроводников разных типов образуется запирающий слой.

Обоснование: При пересечении полупроводников разных типов, p и n, образуется p-n-переход, где происходит переход зарядных носителей. В результате перехода электронов из n-полупроводника в p-полупроводник и заполнения дырок в p-полупроводнике электронами, образуется запирающий слой. Запирающий слой создает электрическую пограничную область, которая предотвращает протекание тока через p-n-переход в отсутствие внешнего воздействия, такого как подключение источника питания или источника света (в случае фотодиода).