Как меняются следующие параметры при удалении от источника света от вакуумного фотоэлемента: насыщенный

Печенька

12

Для ответа на ваш вопрос, нам понадобится рассмотреть эффект фотоэлектрического явления. Это явление происходит, когда свет попадает на поверхность материала, и электроны, находящиеся в этом материале, выбиваются из атомов.

При удалении от источника света от вакуумного фотоэлемента, следующие параметры будут изменяться:

1. Насыщенный ток: Насыщенный ток определяется числом фотоэлектронов, достигающих анода фотоэлемента за единицу времени. При удалении от источника света этот ток будет уменьшаться. Это происходит потому, что чем дальше от источника света, тем меньше фотонов достигает фотоэлемента, следовательно, меньше фотоэлектронов вылетает.

2. Максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов: Максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов зависит от энергии фотона света, попадающего на фотоэлемент. Если фотоны входящего света имеют недостаточную энергию, чтобы выбить электрон с поверхности материала, то энергия фотоэлектронов будет недостаточной для их вылета. При удалении от источника света, энергия фотонов может ослабевать из-за рассеяния или поглощения, поэтому максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов может уменьшаться.

3. Скорость вылета фотоэлектронов с поверхности катода: Скорость вылета фотоэлектронов зависит от кинетической энергии, которую они получают при вылете из материала. Если максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов уменьшается (как мы отметили ранее), то скорость их вылета также будет уменьшаться. Это объясняется тем, что у фотоэлектронов с меньшей энергией будет меньше кинетической энергии, и они будут двигаться медленнее.

В общем, при удалении от источника света от вакуумного фотоэлемента насыщенный ток, максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов и скорость их вылета будут уменьшаться. Это происходит из-за уменьшения количества падающих на фотоэлемент фотонов света и изменения их энергии.