Какие из ниже приведенных утверждений являются правильными для собственных полупроводников? А) Электроны захватываются

  • 68
Какие из ниже приведенных утверждений являются правильными для собственных полупроводников? А) Электроны захватываются атомами акцепторных примесей, образуя дырки. Б) Уровень Ферми находится в середине запрещенной зоны. В) В валентной зоне не полностью заполнены электроны. Г) Сопротивление полупроводников уменьшается при повышении температуры.
Манго_7625
69
Ниже приведены ответы на каждое из утверждений:

А) Электроны захватываются атомами акцепторных примесей, образуя дырки.

Да, это правильное утверждение для собственных полупроводников. В собственных полупроводниках может присутствовать примесь, которая содержит атомы, имеющие большую электроотрицательность по сравнению с атомами материала полупроводника. Такие атомы, называемые акцепторами, способны захватывать электроны в валентной зоне полупроводника, образуя дополнительные "дырки" в электронной структуре.

Б) Уровень Ферми находится в середине запрещенной зоны.

Нет, это неправильное утверждение для собственных полупроводников. В собственных полупроводниках уровень Ферми находится вблизи середины запрещенной зоны энергетической структуры. Он служит определением вероятности нахождения электрона в определенной энергетической области и имеет значение между заполненными и незаполненными энергетическими уровнями.

В) В валентной зоне не полностью заполнены электроны.

Нет, это неправильное утверждение для собственных полупроводников. В собственных полупроводниках в валентной зоне все энергетические уровни уже заполнены электронами, что делает полупроводник непроводящим. Однако, внешняя стимуляция, такая как повышение температуры, может привести к переходу некоторых электронов в проводимую зону, что увеличивает проводимость полупроводника.

Г) Сопротивление полупроводников уменьшается при повышении температуры.

Да, это правильное утверждение для собственных полупроводников. В собственных полупроводниках сопротивление уменьшается при повышении температуры. Это связано с тем, что повышение температуры приводит к увеличению количества электронов, которые получают достаточно энергии для перехода из валентной зоны в проводимую зону. Большее количество свободных носителей заряда уменьшает сопротивление полупроводника.