Какие из ниже приведенных утверждений являются правильными для собственных полупроводников? А) Электроны захватываются
Какие из ниже приведенных утверждений являются правильными для собственных полупроводников? А) Электроны захватываются атомами акцепторных примесей, образуя дырки. Б) Уровень Ферми находится в середине запрещенной зоны. В) В валентной зоне не полностью заполнены электроны. Г) Сопротивление полупроводников уменьшается при повышении температуры.
Манго_7625 69
Ниже приведены ответы на каждое из утверждений:А) Электроны захватываются атомами акцепторных примесей, образуя дырки.
Да, это правильное утверждение для собственных полупроводников. В собственных полупроводниках может присутствовать примесь, которая содержит атомы, имеющие большую электроотрицательность по сравнению с атомами материала полупроводника. Такие атомы, называемые акцепторами, способны захватывать электроны в валентной зоне полупроводника, образуя дополнительные "дырки" в электронной структуре.
Б) Уровень Ферми находится в середине запрещенной зоны.
Нет, это неправильное утверждение для собственных полупроводников. В собственных полупроводниках уровень Ферми находится вблизи середины запрещенной зоны энергетической структуры. Он служит определением вероятности нахождения электрона в определенной энергетической области и имеет значение между заполненными и незаполненными энергетическими уровнями.
В) В валентной зоне не полностью заполнены электроны.
Нет, это неправильное утверждение для собственных полупроводников. В собственных полупроводниках в валентной зоне все энергетические уровни уже заполнены электронами, что делает полупроводник непроводящим. Однако, внешняя стимуляция, такая как повышение температуры, может привести к переходу некоторых электронов в проводимую зону, что увеличивает проводимость полупроводника.
Г) Сопротивление полупроводников уменьшается при повышении температуры.
Да, это правильное утверждение для собственных полупроводников. В собственных полупроводниках сопротивление уменьшается при повышении температуры. Это связано с тем, что повышение температуры приводит к увеличению количества электронов, которые получают достаточно энергии для перехода из валентной зоны в проводимую зону. Большее количество свободных носителей заряда уменьшает сопротивление полупроводника.